导通电阻(RDS(on)):74mΩ@4.5V,2.8A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.7nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):480mW,输入电容(Ciss):744pF@20V,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 74mΩ@4.5V,2.8A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 480mW | |
输入电容(Ciss) | 744pF@20V | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.4/个 |
100+ | ¥0.335/个 |
300+ | ¥0.302/个 |
3000+ | ¥0.278/个 |
6000+ | ¥0.258/个 |
9000+ | ¥0.248/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.25576
3000 PCS/盘
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