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Si4178DY-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- Si4178DY-T1-GE3
- 商品编号
- C75685
- 商品封装
- SO-8
- 商品毛重
- 0.0003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):56pF@15V,导通电阻(RDS(on)):0.021Ω@10V,8.4A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):3.7nC@15V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.2W,输入电容(Ciss):405pF@15V,连续漏极电流(Id):12A,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF@15V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.021Ω@10V,8.4A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 3.7nC@15V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 输入电容(Ciss) | 405pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.575/个 |
| 50+ | ¥1.221/个 |
| 150+ | ¥1.0688/个 |
| 500+ | ¥0.88/个 |
| 2500+ | ¥0.795/个 |
| 5000+ | ¥0.745/个 |
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