反向传输电容(Crss):275pF@20V,导通电阻(RDS(on)):2mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):78nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):5.4W,输入电容(Ciss):4750pF@20V,输出电容(Coss):610pF,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 275pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 78nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 5.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 4750pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 610pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥5.39/个 |
| 10+ | ¥5.26/个 |
| 30+ | ¥5.18/个 |
| 100+ | ¥5.1/个 |
| 102+ | ¥5.1/个 |
| 104+ | ¥5.1/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.692
5000 PCS/盘
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