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STB80NF10T4-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- STB80NF10T4-VB
- 商品编号
- C7568823
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.002285千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):265pF@25V,导通电阻(RDS(on)):10mΩ@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):105nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):6550pF@25V,连续漏极电流(Id):120A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 6550pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.366/个 |
| 10+ | ¥3.29/个 |
| 50+ | ¥3.239/个 |
| 100+ | ¥3.179/个 |
| 102+ | ¥3.179/个 |
| 104+ | ¥3.179/个 |
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