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1个N沟道 耐压:100V
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- RU1H130S-VB
- 商品编号
- C7568851
- 商品封装
- TO-263
- 商品毛重
- 0.0015千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):265pF@25V,导通电阻(RDS(on)):5mΩ@10V,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):3.75W,输入电容(Ciss):6550pF@25V,连续漏极电流(Id):100A,阈值电压(Vgs(th)):2V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 265pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.75W | |
| 输入电容(Ciss) | 6550pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.69/个 |
| 10+ | ¥8.218/个 |
| 50+ | ¥7.192/个 |
| 100+ | ¥6.242/个 |
| 500+ | ¥5.814/个 |
| 1000+ | ¥5.634/个 |
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