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FDB2532-VB
扩展库- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 厂家型号
- FDB2532-VB
- 商品编号
- C7569087
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 商品毛重
- 0.0023千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):26pF@75V,导通电阻(RDS(on)):0.015Ω@10V,导通电阻(RDS(on)):0.017Ω@7.5V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):63nC@10V,漏源电压(Vdss):150V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):378W,输入电容(Ciss):4500pF@75V,输出电容(Coss):535pF,连续漏极电流(Id):80A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 26pF@75V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.015Ω@10V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.017Ω@7.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 63nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 378W | |
| 输入电容(Ciss) | 4500pF@75V | |
| 输出电容(Coss) | 535pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 80A | |
| 配置 | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.812/个 |
| 10+ | ¥6.65/个 |
| 30+ | ¥6.536/个 |
| 100+ | ¥6.432/个 |
| 102+ | ¥6.432/个 |
| 104+ | ¥6.432/个 |
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