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NTD25P03LT4G
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- NTD25P03LT4G
- 商品编号
- C76463
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 商品毛重
- 0.000438千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):210pF@25V,导通电阻(RDS(on)):51mΩ@5.0V,25A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):20nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):75W,输入电容(Ciss):1260pF@25V,连续漏极电流(Id):25A,阈值电压(Vgs(th)):1V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 210pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 51mΩ@5.0V,25A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 输入电容(Ciss) | 1260pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.42/个 |
| 10+ | ¥5.14/个 |
| 30+ | ¥4.5/个 |
| 100+ | ¥3.86/个 |
| 500+ | ¥3.48/个 |
| 1000+ | ¥3.28/个 |
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