导通电阻(RDS(on)):18mΩ@10V,27.5A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):37nC@4.5V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):95W,输入电容(Ciss):1700pF@25V,连续漏极电流(Id):55A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V,27.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 37nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 95W | |
| 输入电容(Ciss) | 1700pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥6.92/个 |
| 10+ | ¥5.75/个 |
| 50+ | ¥5.16/个 |
| 100+ | ¥4.58/个 |
| 500+ | ¥4.23/个 |
| 1200+ | ¥4.05/个 |
| 1800+ | ¥4.01/个 |
| 4200+ | ¥3.98/个 |
整盘
单价
整盘单价¥4.7472
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