导通电阻(RDS(on)):50mΩ@4.5V,4A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):350mW,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):1V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V,4A | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 350mW | |
连续漏极电流(Id) | 4A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.314/个 |
100+ | ¥0.25/个 |
300+ | ¥0.219/个 |
3000+ | ¥0.182/个 |
6000+ | ¥0.163/个 |
9000+ | ¥0.153/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.16744
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