反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@1.8V,2.3A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):13nC,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):715pF,连续漏极电流(Id):2.9A,阈值电压(Vgs(th)):0.9V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 120pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@1.8V,2.3A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 13nC | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | 715pF | |
连续漏极电流(Id) | 2.9A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.9V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.309/个 |
100+ | ¥0.244/个 |
300+ | ¥0.212/个 |
3000+ | ¥0.187/个 |
6000+ | ¥0.168/个 |
9000+ | ¥0.158/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.17204
3000 PCS/盘
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