反向传输电容(Crss):190pF@20V,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V,15A,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):42nC@10V,漏源电压(Vdss):40V,耗散功率(Pd):62.5W,输入电容(Ciss):2550pF@20V,连续漏极电流(Id):40A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 190pF@20V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@4.5V,15A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 42nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 2550pF@20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.68/个 |
| 50+ | ¥2.18/个 |
| 150+ | ¥1.85/个 |
| 500+ | ¥1.58/个 |
| 2500+ | ¥1.46/个 |
| 5000+ | ¥1.38/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.3432
2500 PCS/盘
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