IGBT类型:FS(场截止),关断延迟时间(Td(off)):208ns,关断损耗(Eoff):5.62mJ,反向恢复时间(Trr):110ns,导通损耗(Eon):2.93mJ,工作温度:-40℃~+150℃,开启延迟时间(Td(on)):118ns,栅极电荷量(Qg):200nC@15V,栅极阈值电压(Vge(th)):5V@4mA,耗散功率(Pd):680W,输入电容(Cies):8.3nF,输出电容(Coes):0.29nF,集射极击穿电压(Vces):1200V,集射极饱和电压(VCE(sat)):1.9V@100A,15V,集电极电流(Ic):150A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | FS(场截止) | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 208ns | |
| 关断损耗(Eoff) | 5.62mJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 110ns | |
| 导通损耗(Eon) | 2.93mJ | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 118ns | |
| 栅极电荷量(Qg) | 200nC@15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 5V@4mA | |
| 耗散功率(Pd) | 680W | |
| 输入电容(Cies) | 8.3nF | |
| 输出电容(Coes) | 0.29nF | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 1200V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@100A,15V | |
| 集电极电流(Ic) | 150A |