反向传输电容(Crss):6pF@25V,导通电阻(RDS(on)):6Ω@4.5V,0.22A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):27pF@25V,连续漏极电流(Id):0.22A,阈值电压(Vgs(th)):0.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@4.5V,0.22A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.35W | |
| 输入电容(Ciss) | 27pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.22A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.8V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.129/个 |
| 200+ | ¥0.1/个 |
| 600+ | ¥0.0842/个 |
| 3000+ | ¥0.0734/个 |
| 9000+ | ¥0.0651/个 |
| 21000+ | ¥0.0607/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06753
3000 PCS/盘
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