射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):-,直流电流增益(hFE):150,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):20V,集射极饱和电压(VCE(sat)):600mV,集电极截止电流(Icbo):150nA,集电极电流(Ic):500mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | - | |
| 直流电流增益(hFE) | 150 | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 20V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 600mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 150nA | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0897/个 |
| 200+ | ¥0.071/个 |
| 600+ | ¥0.0606/个 |
| 3000+ | ¥0.0544/个 |
| 9000+ | ¥0.049/个 |
| 21000+ | ¥0.0461/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.05005
3000 PCS/盘
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