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CSD88539NDT
扩展库- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 厂家型号
- CSD88539NDT
- 商品编号
- C78704
- 商品封装
- SOIC-8
- 商品毛重
- 0.000173千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):2.6pF@30V,导通电阻(RDS(on)):23mΩ@10V,5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:2个N沟道,栅极电荷量(Qg):7.2nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):2.1W,输入电容(Ciss):741pF@30V,连续漏极电流(Id):15A,阈值电压(Vgs(th)):3V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF@30V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 23mΩ@10V,5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.1W | |
| 输入电容(Ciss) | 741pF@30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.14/个 |
| 10+ | ¥3.32/个 |
| 30+ | ¥2.91/个 |
| 250+ | ¥2.5/个 |
| 500+ | ¥2.26/个 |
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