导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V,120mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):250mW,输入电容(Ciss):40pF@25V,连续漏极电流(Id):150mA,阈值电压(Vgs(th)):2.8V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,120mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 输入电容(Ciss) | 40pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.8V |