反向传输电容(Crss):100pF,导通电阻(RDS(on)):75mΩ@4.5V,3A,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):9.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):1W,输入电容(Ciss):840pF,输出电容(Coss):140pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V,3A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 9.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 输入电容(Ciss) | 840pF | |
| 输出电容(Coss) | 140pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.427/个 |
| 50+ | ¥1.134/个 |
| 150+ | ¥1.0086/个 |
| 500+ | ¥0.852/个 |
| 3000+ | ¥0.663/个 |
| 6000+ | ¥0.621/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.615
3000 PCS/盘
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