导通电阻(RDS(on)):75mΩ@4.5V,3A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1W,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@4.5V,3A | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1W | |
连续漏极电流(Id) | 3A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥1.539/个 |
50+ | ¥1.246/个 |
150+ | ¥1.121/个 |
500+ | ¥0.965/个 |
3000+ | ¥0.775/个 |
6000+ | ¥0.733/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.713
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