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FDV303N
扩展库- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 厂家型号
- FDV303N
- 商品编号
- C80498
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.00003千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):450mΩ@4.5V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):2.3nC@4.5V,漏源电压(Vdss):25V,耗散功率(Pd):350mW,输入电容(Ciss):50pF@10V,连续漏极电流(Id):680mA,阈值电压(Vgs(th)):-
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 450mΩ@4.5V,500mA | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.3nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@10V | |
| 连续漏极电流(Id) | 680mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.304/个 |
| 100+ | ¥0.237/个 |
| 300+ | ¥0.204/个 |
| 3000+ | ¥0.178/个 |
| 6000+ | ¥0.158/个 |
| 9000+ | ¥0.148/个 |
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