反向传输电容(Crss):39pF,导通电阻(RDS(on)):57.5mΩ@10V,3.1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):14nC,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):2.8W,输入电容(Ciss):340pF,连续漏极电流(Id):5.1A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 39pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 57.5mΩ@10V,3.1A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W | |
| 输入电容(Ciss) | 340pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.1A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.5/个 |
| 10+ | ¥2.88/个 |
| 30+ | ¥2.61/个 |
| 100+ | ¥2.28/个 |
| 500+ | ¥1.73/个 |
| 1000+ | ¥1.64/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.5088
2500 PCS/盘
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