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STP110N8F6
扩展库- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 厂家型号
- STP110N8F6
- 商品编号
- C81146
- 商品封装
- TO-220
- 商品毛重
- 0.002932千克(kg)
- 包装方式
- 管装
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):225pF,导通电阻(RDS(on)):6.5mΩ@10V,55A,工作温度:-55℃~+175℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):150nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):200W,输入电容(Ciss):9130pF@40V,输出电容(Coss):320pF,连续漏极电流(Id):110A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 225pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.5mΩ@10V,55A | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 150nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输入电容(Ciss) | 9130pF@40V | |
| 输出电容(Coss) | 320pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 110A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
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|---|---|
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| 100+ | ¥3.41/个 |
| 500+ | ¥3.06/个 |
| 1000+ | ¥2.89/个 |
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