反向传输电容(Crss):41pF@25V,导通电阻(RDS(on)):0.85Ω@10V,4.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):90nC@10V,漏源电压(Vdss):700V,耗散功率(Pd):35W,输入电容(Ciss):2000pF@25V,连续漏极电流(Id):8.6A,阈值电压(Vgs(th)):4.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 41pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.85Ω@10V,4.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 90nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 700V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 输入电容(Ciss) | 2000pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥9.49/个 |
| 10+ | ¥8.06/个 |
| 50+ | ¥7.27/个 |
| 100+ | ¥6.37/个 |
| 500+ | ¥5.98/个 |
| 1200+ | ¥5.8/个 |
| 1800+ | ¥5.74/个 |
| 4200+ | ¥5.7/个 |
整盘
单价
整盘单价¥6.6884
50 PCS/盘
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