反向传输电容(Crss):2.5pF@10V,导通电阻(RDS(on)):2Ω@10V,500mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):0.6nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):-,连续漏极电流(Id):300mA,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 2.5pF@10V | |
导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V,500mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 0.6nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | - | |
连续漏极电流(Id) | 300mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.184/个 |
100+ | ¥0.162/个 |
300+ | ¥0.15/个 |
3000+ | ¥0.112/个 |
6000+ | ¥0.105/个 |
9000+ | ¥0.102/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.104
3000 PCS/盘
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