反向传输电容(Crss):150pF,导通电阻(RDS(on)):0.027Ω@10V,工作温度:-55℃~+175℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):65nC,漏源电压(Vdss):55V,耗散功率(Pd):107W,输入电容(Ciss):1300pF,输出电容(Coss):410pF,连续漏极电流(Id):44A,阈值电压(Vgs(th)):4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.027Ω@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 55V | |
| 耗散功率(Pd) | 107W | |
| 输入电容(Ciss) | 1300pF | |
| 输出电容(Coss) | 410pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 44A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥4.85/个 |
| 10+ | ¥3.96/个 |
| 30+ | ¥3.52/个 |
| 100+ | ¥3.08/个 |
| 500+ | ¥2.34/个 |
| 1000+ | ¥2.2/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.173
2000 PCS/盘
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