反向传输电容(Crss):5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):5.6Ω@2.75V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):50pF@25V,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.6Ω@2.75V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 200mA | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.2/个 |
| 200+ | ¥0.152/个 |
| 600+ | ¥0.13/个 |
| 3000+ | ¥0.107/个 |
| 9000+ | ¥0.1/个 |
| 21000+ | ¥0.0957/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.09844
3000 PCS/盘
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