射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):50MHz,直流电流增益(hFE):25,耗散功率(Pd):225mW,集射极击穿电压(Vceo):300V,集射极饱和电压(VCE(sat)):500mV,集电极截止电流(Icbo):0.25uA,集电极电流(Ic):500mA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 50MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 25 | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 300V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.25uA | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.239/个 |
| 200+ | ¥0.191/个 |
| 600+ | ¥0.164/个 |
| 3000+ | ¥0.142/个 |
| 9000+ | ¥0.128/个 |
| 21000+ | ¥0.121/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.13064
3000 PCS/盘
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