反向传输电容(Crss):16pF@5V,导通电阻(RDS(on)):1Ω@4V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):1.15nC@5V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):0.69W,输入电容(Ciss):42pF@1MHz,连续漏极电流(Id):0.56A,配置:-,阈值电压(Vgs(th)):1.4V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 16pF@5V | |
导通电阻(RDS(on)) | 1Ω@4V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 1.15nC@5V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 0.69W | |
输入电容(Ciss) | 42pF@1MHz | |
连续漏极电流(Id) | 0.56A | |
配置 | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.423/个 |
100+ | ¥0.336/个 |
300+ | ¥0.292/个 |
3000+ | ¥0.231/个 |
6000+ | ¥0.205/个 |
9000+ | ¥0.192/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.21252
3000 PCS/盘
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