反向传输电容(Crss):85pF,导通电阻(RDS(on)):85mΩ@2.5V,1A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):400mW,输入电容(Ciss):1050pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 85pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 85mΩ@2.5V,1A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 400mW | |
输入电容(Ciss) | 1050pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.304/个 |
100+ | ¥0.24/个 |
300+ | ¥0.209/个 |
3000+ | ¥0.185/个 |
6000+ | ¥0.166/个 |
9000+ | ¥0.156/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.1702
3000 PCS/盘
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