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SI2338DS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2338DS-T1-GE3
- 商品编号
- C82649
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):28mΩ@10V,5.5A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):13nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):1.3W,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):424pF@15V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V,5.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 424pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥2.58/个 |
| 10+ | ¥2.07/个 |
| 30+ | ¥1.86/个 |
| 100+ | ¥1.59/个 |
| 500+ | ¥1.46/个 |
| 1000+ | ¥1.39/个 |
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