反向传输电容(Crss):5.8pF@25V,导通电阻(RDS(on)):2.7Ω@10V,2A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):12.8nC@10V,漏源电压(Vdss):650V,耗散功率(Pd):77W,输入电容(Ciss):533pF@25V,连续漏极电流(Id):4A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF@25V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,2A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 12.8nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 耗散功率(Pd) | 77W | |
| 输入电容(Ciss) | 533pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.349/个 |
| 50+ | ¥1.0563/个 |
| 150+ | ¥0.931/个 |
| 500+ | ¥0.775/个 |
| 2500+ | ¥0.705/个 |
| 5000+ | ¥0.663/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.6486
2500 PCS/盘
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