反向传输电容(Crss):60pF,导通电阻(RDS(on)):110mΩ@4.5V,2.8A,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):4nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):700mW,输入电容(Ciss):500pF,输出电容(Coss):115pF,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):0.58V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,2.8A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF | |
| 输出电容(Coss) | 115pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 0.58V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.234/个 |
| 200+ | ¥0.182/个 |
| 600+ | ¥0.154/个 |
| 3000+ | ¥0.137/个 |
| 9000+ | ¥0.122/个 |
| 21000+ | ¥0.114/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12604
3000 PCS/盘
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