导通电阻(RDS(on)):110mΩ@4.5V,2.8A,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):700mW,连续漏极电流(Id):2.8A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V,2.8A | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 700mW | |
连续漏极电流(Id) | 2.8A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.235/个 |
200+ | ¥0.184/个 |
600+ | ¥0.155/个 |
3000+ | ¥0.138/个 |
9000+ | ¥0.123/个 |
21000+ | ¥0.115/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12696
3000 PCS/盘
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