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SI2337DS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2337DS-T1-GE3
- 商品编号
- C83155
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
反向传输电容(Crss):25pF,导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,1.2A,工作温度:-50℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):17nC@10V,漏源电压(Vdss):80V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):760mW,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):500pF@40V,输出电容(Coss):40pF,连续漏极电流(Id):2.2A,阈值电压(Vgs(th)):4V
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 25pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,1.2A | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 17nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 760mW | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 500pF@40V | |
| 输出电容(Coss) | 40pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
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