反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):10Ω@10V,0.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.5nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):79pF@25V,连续漏极电流(Id):0.12A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V,0.5A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 0.36W | |
| 输入电容(Ciss) | 79pF@25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.543/个 |
| 50+ | ¥0.432/个 |
| 150+ | ¥0.377/个 |
| 500+ | ¥0.335/个 |
| 3000+ | ¥0.262/个 |
| 6000+ | ¥0.245/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.24104
3000 PCS/盘
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