反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):10Ω@10V,0.5A,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):2.5nC,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):0.36W,输入电容(Ciss):79pF@25V,连续漏极电流(Id):0.12A,阈值电压(Vgs(th)):1.7V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 4pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V,0.5A | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 2.5nC | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 0.36W | |
输入电容(Ciss) | 79pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 0.12A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.611/个 |
50+ | ¥0.487/个 |
150+ | ¥0.424/个 |
500+ | ¥0.377/个 |
3000+ | ¥0.294/个 |
6000+ | ¥0.276/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.27048
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉70.56元