导通电阻(RDS(on)):0.95mΩ@10V,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):107nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):7.3W,耗散功率(Pd):83W,输入电容(Ciss):7036pF@15V,连续漏极电流(Id):71A,连续漏极电流(Id):200A,阈值电压(Vgs(th)):1.4V@250uA
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.95mΩ@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 107nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 7.3W | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 输入电容(Ciss) | 7036pF@15V | |
| 连续漏极电流(Id) | 71A | |
| 连续漏极电流(Id) | 200A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.45/个 |
| 10+ | ¥3.45/个 |
| 30+ | ¥3.45/个 |
| 100+ | ¥3.45/个 |
| 500+ | ¥3/个 |
| 1000+ | ¥3/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.968
3000 PCS/盘
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