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G1NP02ELL

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品牌名称
GOFORD(谷峰)
厂家型号
G1NP02ELL
商品编号
C840056
商品封装
SOT-23-6
商品毛重
0.000026千克(kg)
包装方式
编带

商品参数

反向传输电容(Crss):5pF,反向传输电容(Crss):5.7pF,导通电阻(RDS(on)):159mΩ@4.5V,导通电阻(RDS(on)):375mΩ@4.5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:-,栅极电荷量(Qg):750pC@4.5V,栅极电荷量(Qg):855pC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,漏源电压(Vdss):20V,类型:N沟道+P沟道,耗散功率(Pd):1.12W,耗散功率(Pd):1.12W,输入电容(Ciss):60pF,输入电容(Ciss):68.4pF,输出电容(Coss):15pF,输出电容(Coss):17pF,连续漏极电流(Id):1.36A,连续漏极电流(Id):1.15A,阈值电压(Vgs(th)):0.55V@250uA,阈值电压(Vgs(th)):0.55V@250uA

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属性参数值其他
商品目录场效应管(MOSFET)
反向传输电容(Crss)5pF
反向传输电容(Crss)5.7pF
导通电阻(RDS(on))159mΩ@4.5V
导通电阻(RDS(on))375mΩ@4.5V
工作温度-55℃~+150℃
数量-
栅极电荷量(Qg)750pC@4.5V
栅极电荷量(Qg)855pC@4.5V
漏源电压(Vdss)20V
漏源电压(Vdss)20V
类型N沟道+P沟道
耗散功率(Pd)1.12W
耗散功率(Pd)1.12W
输入电容(Ciss)60pF
输入电容(Ciss)68.4pF
输出电容(Coss)15pF
输出电容(Coss)17pF
连续漏极电流(Id)1.36A
连续漏极电流(Id)1.15A
阈值电压(Vgs(th))0.55V@250uA
阈值电压(Vgs(th))0.55V@250uA

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阶梯价格(含税价)

梯度售价
1+¥0.22/个
200+¥0.171/个
600+¥0.144/个
3000+¥0.121/个
9000+¥0.107/个
21000+¥0.0991/个

嘉立创SMT补贴

整盘

单价

整盘单价¥0.11132

3000 PCS/盘

嘉立创补贴8%

一盘能省掉29.04

换料费券¥300

库存总量

2921 PCS
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