反向传输电容(Crss):22pF,导通电阻(RDS(on)):143mΩ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):18.2nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):1.5W,输入电容(Ciss):622pF@50V,输出电容(Coss):30pF,连续漏极电流(Id):3A,阈值电压(Vgs(th)):2.2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 22pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 143mΩ | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 18.2nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 622pF@50V | |
| 输出电容(Coss) | 30pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.702/个 |
| 50+ | ¥0.558/个 |
| 150+ | ¥0.486/个 |
| 500+ | ¥0.432/个 |
| 3000+ | ¥0.374/个 |
| 6000+ | ¥0.353/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.34408
3000 PCS/盘
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