反向传输电容(Crss):36pF@50V,导通电阻(RDS(on)):-,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):139nC@10V,漏源电压(Vdss):100V,耗散功率(Pd):227W,输入电容(Ciss):9.538nF@50V,连续漏极电流(Id):190A,阈值电压(Vgs(th)):3V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF@50V | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 139nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 227W | |
| 输入电容(Ciss) | 9.538nF@50V | |
| 连续漏极电流(Id) | 190A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥7.41/个 |
| 10+ | ¥6.14/个 |
| 30+ | ¥5.43/个 |
| 100+ | ¥4.64/个 |
| 500+ | ¥4.26/个 |
| 1000+ | ¥4.1/个 |
整盘
单价
整盘单价¥3.772
1000 PCS/盘
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