导通电阻(RDS(on)):5.2mΩ@10V,18A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):60V,耗散功率(Pd):166W,连续漏极电流(Id):140A,阈值电压(Vgs(th)):2.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V,18A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 60V | |
耗散功率(Pd) | 166W | |
连续漏极电流(Id) | 140A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥4.96/个 |
10+ | ¥4.05/个 |
30+ | ¥3.6/个 |
100+ | ¥3.15/个 |
500+ | ¥2.58/个 |
800+ | ¥2.44/个 |
整盘
单价
整盘单价¥2.2448
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