导通电阻(RDS(on)):33mΩ@10V,30A,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):200V,耗散功率(Pd):200W,连续漏极电流(Id):70A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 33mΩ@10V,30A | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
耗散功率(Pd) | 200W | |
连续漏极电流(Id) | 70A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥11.79/个 |
10+ | ¥10/个 |
30+ | ¥8.88/个 |
100+ | ¥7.74/个 |
500+ | ¥6.56/个 |
800+ | ¥6.33/个 |
整盘
单价
整盘单价¥5.83
800 PCS/盘
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