导通电阻(RDS(on)):25mΩ@10V,5A,数量:2个N沟道,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):2W,连续漏极电流(Id):-,阈值电压(Vgs(th)):1.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 25mΩ@10V,5A | |
数量 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 2W | |
连续漏极电流(Id) | - | |
阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.83/个 |
50+ | ¥0.695/个 |
150+ | ¥0.628/个 |
500+ | ¥0.577/个 |
3000+ | ¥0.537/个 |
6000+ | ¥0.516/个 |
9000+ | ¥0.512/个 |
21000+ | ¥0.509/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.49404
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