反向传输电容(Crss):5pF@25V,导通电阻(RDS(on)):3.5Ω@5.0V,200mA,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):50pF@25V,连续漏极电流(Id):200mA,阈值电压(Vgs(th)):0.5V
属性 | 参数值 | 其他 |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
导通电阻(RDS(on)) | 3.5Ω@5.0V,200mA | |
工作温度 | -55℃~+150℃ | |
数量 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
输入电容(Ciss) | 50pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 200mA | |
阈值电压(Vgs(th)) | 0.5V |
梯度 | 售价 |
---|---|
1+ | ¥0.105/个 |
500+ | ¥0.0806/个 |
3000+ | ¥0.0671/个 |
6000+ | ¥0.059/个 |
24000+ | ¥0.052/个 |
51000+ | ¥0.0482/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06173
3000 PCS/盘
嘉立创补贴8%
一盘能省掉16.11元