反向传输电容(Crss):120pF,导通电阻(RDS(on)):40mΩ@10V,6.2A,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):46.5nC@10V,漏源电压(Vdss):60V,类型:P沟道,耗散功率(Pd):2W,输入电容(Ciss):2417pF,输出电容(Coss):179pF,连续漏极电流(Id):6.2A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@10V,6.2A | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46.5nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 类型 | P沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 输入电容(Ciss) | 2417pF | |
| 输出电容(Coss) | 179pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥1.228/个 |
| 50+ | ¥0.969/个 |
| 150+ | ¥0.857/个 |
| 500+ | ¥0.719/个 |
| 2500+ | ¥0.657/个 |
| 5000+ | ¥0.62/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.60444
2500 PCS/盘
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