反向传输电容(Crss):4pF,导通电阻(RDS(on)):6Ω@10V,100mA,数量:1个N沟道,漏源电压(Vdss):100V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):225mW,输入电容(Ciss):20pF,输出电容(Coss):9pF,连续漏极电流(Id):0.17A,阈值电压(Vgs(th)):2V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6Ω@10V,100mA | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 225mW | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 输出电容(Coss) | 9pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 0.17A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.125/个 |
| 200+ | ¥0.096/个 |
| 600+ | ¥0.0801/个 |
| 3000+ | ¥0.0706/个 |
| 9000+ | ¥0.0623/个 |
| 21000+ | ¥0.0579/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06495
3000 PCS/盘
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