导通电阻(RDS(on)):10Ω@5V,100mA,数量:1个P沟道,漏源电压(Vdss):50V,耗散功率(Pd):225mW,连续漏极电流(Id):0.13A,阈值电压(Vgs(th)):2V
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@5V,100mA | |
数量 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 50V | |
耗散功率(Pd) | 225mW | |
连续漏极电流(Id) | 0.13A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.122/个 |
200+ | ¥0.0944/个 |
600+ | ¥0.0794/个 |
3000+ | ¥0.0663/个 |
9000+ | ¥0.0585/个 |
21000+ | ¥0.0543/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.061
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