反向传输电容(Crss):64pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@4.5V,4.2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):727pF@20V,输出电容(Coss):69pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):900mV
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 64pF | |
导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,4.2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
漏源电压(Vdss) | 20V | |
耗散功率(Pd) | 1.4W | |
输入电容(Ciss) | 727pF@20V | |
输出电容(Coss) | 69pF | |
连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.305/个 |
100+ | ¥0.24/个 |
300+ | ¥0.208/个 |
3000+ | ¥0.177/个 |
6000+ | ¥0.158/个 |
9000+ | ¥0.148/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.16284
3000 PCS/盘
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