反向传输电容(Crss):64pF,导通电阻(RDS(on)):60mΩ@4.5V,4.2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):7.6nC@4.5V,漏源电压(Vdss):20V,耗散功率(Pd):1.4W,输入电容(Ciss):727pF@20V,输出电容(Coss):69pF,连续漏极电流(Id):4.2A,阈值电压(Vgs(th)):900mV
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 64pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 60mΩ@4.5V,4.2A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.6nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.4W | |
| 输入电容(Ciss) | 727pF@20V | |
| 输出电容(Coss) | 69pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.297/个 |
| 100+ | ¥0.234/个 |
| 300+ | ¥0.203/个 |
| 3000+ | ¥0.172/个 |
| 6000+ | ¥0.154/个 |
| 9000+ | ¥0.144/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.15824
3000 PCS/盘
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