射基极击穿电压(Vebo):5V,工作温度:-55℃~+150℃,数量:1个PNP,晶体管类型:PNP,特征频率(fT):200MHz,直流电流增益(hFE):100,耗散功率(Pd):0.3W,集射极击穿电压(Vceo):40V,集射极饱和电压(VCE(sat)):400mV,集电极截止电流(Icbo):0.1uA,集电极电流(Ic):0.6A
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 数量 | 1个PNP | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 特征频率(fT) | 200MHz | |
| 直流电流增益(hFE) | 100 | |
| 耗散功率(Pd) | 0.3W | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 400mV | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA | |
| 集电极电流(Ic) | 0.6A |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.0994/个 |
| 500+ | ¥0.0784/个 |
| 3000+ | ¥0.0668/个 |
| 6000+ | ¥0.0598/个 |
| 24000+ | ¥0.0538/个 |
| 51000+ | ¥0.0505/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.06146
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