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SI2329DS-T1-GE3
扩展库- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 厂家型号
- SI2329DS-T1-GE3
- 商品编号
- C85167
- 商品封装
- SOT-23
- 商品毛重
- 0.000035千克(kg)
- 包装方式
- 编带
- ECCN
- EAR99
商品参数
导通电阻(RDS(on)):30mΩ@4.5V,5.3A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):29nC@4.5V,漏源电压(Vdss):8V,耗散功率(Pd):2.5W,输入电容(Ciss):1485pF@4V,连续漏极电流(Id):6A,阈值电压(Vgs(th)):800mV
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| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.5V,5.3A | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@4.5V | |
| 漏源电压(Vdss) | 8V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W | |
| 输入电容(Ciss) | 1485pF@4V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
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| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥3.78/个 |
| 10+ | ¥3.08/个 |
| 30+ | ¥2.73/个 |
| 100+ | ¥2.38/个 |
| 500+ | ¥2.18/个 |
| 1000+ | ¥2.07/个 |
| 3000+ | ¥2.04/个 |
| 6000+ | ¥2.03/个 |
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