反向传输电容(Crss):55pF,导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,3.4A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):4.3nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):960mW,输入电容(Ciss):215pF,输出电容(Coss):90pF,连续漏极电流(Id):3.6A,阈值电压(Vgs(th)):800mV
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,3.4A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.3nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 960mW | |
| 输入电容(Ciss) | 215pF | |
| 输出电容(Coss) | 90pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥0.412/个 |
| 100+ | ¥0.333/个 |
| 300+ | ¥0.293/个 |
| 3000+ | ¥0.24/个 |
| 6000+ | ¥0.216/个 |
| 9000+ | ¥0.204/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.2208
3000 PCS/盘
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