反向传输电容(Crss):250pF,导通电阻(RDS(on)):270mΩ@10V,14A,数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):190nC@10V,漏源电压(Vdss):500V,类型:N沟道,耗散功率(Pd):190W,输入电容(Ciss):4300pF,输出电容(Coss):1000pF,连续漏极电流(Id):21A,阈值电压(Vgs(th)):4V
| 属性 | 参数值 | 其他 |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 反向传输电容(Crss) | 250pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 270mΩ@10V,14A | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 类型 | N沟道 | |
| 耗散功率(Pd) | 190W | |
| 输入电容(Ciss) | 4300pF | |
| 输出电容(Coss) | 1000pF | |
| 连续漏极电流(Id) | 21A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 梯度 | 售价 |
|---|---|
| 1+ | ¥12.31/个 |
| 10+ | ¥10.48/个 |
| 30+ | ¥9.33/个 |
| 90+ | ¥8.15/个 |
| 360+ | ¥7.62/个 |
| 1080+ | ¥7.39/个 |
整盘
单价
整盘单价¥8.5836
30 PCS/盘
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