反向传输电容(Crss):190pF@4V,导通电阻(RDS(on)):90mΩ@1.8V,2A,工作温度:-50℃~+150℃,数量:1个P沟道,栅极电荷量(Qg):-,漏源电压(Vdss):12V,耗散功率(Pd):0.35W,输入电容(Ciss):740pF@4V,连续漏极电流(Id):4.1A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
反向传输电容(Crss) | 190pF@4V | |
导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@1.8V,2A | |
工作温度 | -50℃~+150℃ | |
数量 | 1个P沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | - | |
漏源电压(Vdss) | 12V | |
耗散功率(Pd) | 0.35W | |
输入电容(Ciss) | 740pF@4V | |
连续漏极电流(Id) | 4.1A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥0.228/个 |
100+ | ¥0.182/个 |
300+ | ¥0.159/个 |
3000+ | ¥0.134/个 |
6000+ | ¥0.127/个 |
9000+ | ¥0.123/个 |
整盘
单价
整盘单价¥0.12328
3000 PCS/盘
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