导通电阻(RDS(on)):50mΩ@10V,2A,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj),数量:1个N沟道,栅极电荷量(Qg):9nC@10V,漏源电压(Vdss):30V,耗散功率(Pd):3.3W,输入电容(Ciss):330pF@25V,连续漏极电流(Id):6.5A,阈值电压(Vgs(th)):-
属性 | 参数值 | 其他 |
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商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@10V,2A | |
工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
数量 | 1个N沟道 | |
栅极电荷量(Qg) | 9nC@10V | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
耗散功率(Pd) | 3.3W | |
输入电容(Ciss) | 330pF@25V | |
连续漏极电流(Id) | 6.5A | |
阈值电压(Vgs(th)) | - |
梯度 | 售价 |
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1+ | ¥2.246/个 |
50+ | ¥1.867/个 |
150+ | ¥1.705/个 |
500+ | ¥1.446/个 |
2500+ | ¥1.356/个 |
4000+ | ¥1.302/个 |
整盘
单价
整盘单价¥1.19784
4000 PCS/盘
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